삼성·SK, HBM향 하이브리드 본딩 도입 시점 두고 고심

[지디넷코리아]차세대 고대역폭메모리(HBM) 구현을 위한 하이브리드 본딩 기술 도입을 두고 삼성전자와 SK하이닉스의 고민이 깊어지고 있다.해당 기술 주요 강점인 '두께 감소'와 '방열 성능 강화' 필요성이 낮아진 탓이다. 업계에선 HBM의 I/O(입출력단자) 수가 폭증하는 시기에 하이브리드 본딩 도입 필요성이 다시 대두될 것이란 관측이 나온다.6일 업계에 따르면 차세대 HBM에 하이브리드 본딩이 본격 적용되는 시점이 예상 대비 지연될 수 있다는 관측이 제기된다. 당초 HBM4(6세대 HBM)부터 하이브리드 본딩 기술이 적용될 수 있다는 전망도 있었지만 기술 난도 등으로 현실화되지는 않았다. 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업은 HBM에 차세대 패키징 기술인 하이브리드 본딩을 적용하기 위한 연구개발(R&D)을 지속해 왔다. 현재 HBM 양산에 쓰이는 본딩 기술은 열압착(TC) 본딩이다. D램과 D램 사이에 미세한 돌기인 범프(Bump)와, 지지대 역할의 언더필(Underfil