전북대-GIST, 차세대 질화물 반도체 전기적 특성 저하 규명

전북대학교는 박광욱 전자재료공학전공 교수팀이 저비용 차세대 질화물 반도체로 주목받는 아연주석질화물반도체(ZnSnN₂) 박막에서 두께 증가에 따라 전기적 특성이 저하되는 원인을 규명했다고 20일 밝혔다. 이번 연구는 박광욱 교수와 황주찬 전북대 박사과정생, 강철 광주과학기술원(GIST) 고등광기술연구원(APRI) 수석연구원과 김영일 연구원이 공동으로 수행했다. ZnSnN₂는 지표상에 풍부하고 상대적으로 저렴한 아연(Zn)과 주석(Sn)을 사용하는