IBS, 0.7nm급 차세대 반도체 소자 제작 기술 개발…'사이언스' 실려

[지디넷코리아]0.7nm급 차세대 반도체 소자 제작 기술이 국내서도 개발됐다. 지난 6월 IBM이 발표한 이래 두 번째다. 연구결과는 과학기술 분야 세계 3대 학술지 '사이언스'에 16일 오전 3시(KST) 게재됐다.과학기술정보통신부는 조문호 기초과학연구원(IBS) 반데르발스 양자 물질 연구단장 연구팀이 2차원 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 바꿔, 하나의 박막에 반도체·절연체·준금속 영역을 원하는 층과 위치에 구현하는 0.7nm급 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발했다고 밝혔다.2차원 반도체는 원자층 두께에도 전류 제어가 가능해 차세대 초미세·저전력 반도체로 주목받는다. 그러나, 정교한 집적이 어려워 기술 개발에 어려움이 많았다.연구진은 서로 다른 물질을 쌓는 대신 2차원 반도체를 이루는 원자를 선택적으로 바꿔 필요한 물질을 원하는 위치에 직접 구현하는 방식을 고안했다.연구진은 p형 반도체인 ‘이셀레늄화텅스텐(WSe₂)’를 이용해 텅스텐(W) 원자층을 셀레늄(Se) 원자층이 위