GIST-삼성-MIT, Ru에 탄소원자 5개 첨가로 반도체 배선 "저항 혁명"

[지디넷코리아]광주과학기술원(GIST)이 삼성전자 및 미국 MIT 연구팀과 공동으로 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항 값을 45% 낮추는데 성공했다. 2nm급 차세대 반도체 배선과 복잡한 3차원 구조에도 적용 가능할 전망이다.22일 GIST에 따르면 조용륜 GIST 중앙기기연구소 첨단분석센터 박사후연구원이 공동1저자로 참여했다. 삼성전자 SAIT(전 삼성종합기술원)에선 임용철 박사(공동1저자겸 교신저자)를 비롯한 하윤후·이영민 연구원(이상 공동 제1저자)와 이정엽·조은형·채병규·이재우·조기영·박성용·변경은·김상원 연구원, MIT에선 김지환 연구원이 공동저자로 이름을 올렸다. 연구결과는 과학기술계 세계 3대 국제학술지 '사이언스'에 온라인으로 게재됐다.핵심은 미량의 탄소를 ‘일시적 결정 성장 촉진제’로 활용해 비정질 절연 기판 위에서도 금속 결정의 방향을 정밀하게 정렬하는 기술을 개발하고, 이를 통해 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항을 최대 45%까지 낮출 수 있음을 확인한 것