TSMC, '1.4나노' 성능·수율 모두 잡았다…차세대 공정 선점 시동

[지디넷코리아]대만 파운드리 TSMC가 최근 1나노미터(nm) 공정 고도화에서 상당한 진전을 이뤘다. 오는 2028년 양산 예정인 공정의 샘플 칩이 목표 성능의 90%에 도달했고, 주요 부품 수율도 안정화 단계에 접어든 것으로 나타났다.TSMC는 지난 16일 2분기 실적발표에서 "A14(A는 옹스트롬, 0.1나노) 공정 개발은 계획대로 순조롭게 진행되고 있다"며 "내부 시험용 칩 기준으로 소자 성능이 목표치 대비 90% 수준에 도달했다"고 밝혔다. 이어 "256메가비트 S램 수율도 90%에 근접했다"고 덧붙였다. 1.4나노에 해당하는 A14는 TSMC가 2027년 시생산에 돌입해, 2028년부터 본격 양산 예정인 차세대 공정이다. TSMC의 2나노(N2) 대비 동일한 전력에서 10~15% 성능 향상, 혹은 동일한 성능에서 25~30% 전력절감 효과를 제공한다. 칩 집적도 또한 20% 향상됐다. S램은 중앙처리장치(CPU)·그래픽처리장치(GPU) 등에 내장하는 고속 휘발성 메모리다.